Zusätzlich spielt die Schaltungstopologie eine große Rolle: Röhrenendstufen werden üblicherweise in Gitter-Basis-Schaltung realisiert, die naturgemäß einen hohen Ausgangswiderstand besitzt. Transistorverstärker werden stets als Kollektorschaltung realisiert, welche selbst völlig ohne äußere Gegenkopplung einen niedrigen Ausgangswiderstand besitzt.
Einen wichtigen Unterschied gibt es auch, wenn die Verbindung zwischen Verstärker und Lautsprecher gestört wird:
- Wird diese Verbindung versehentlich bei einem Röhrenverstärker bei hoher NF-Leistung unterbrochen, wird die entstehende hohe Induktionsspannung den Ausgangstrafo zerstören und/oder die Endröhren schädigen.
- Spätestens seit den 1980er Jahren sind Halbleiterverstärker üblich, die gegenüber kritischen Impedanzen (Kurzschluss, induktive Lasten, kapazitive Lasten) unempfindlich geworden sind. Dafür werden die Spannung, der Strom, eine Verlustleistungsapproximation und die Sperrschichttemperatur der Stromtreiber überwacht, die in allen Fällen dazu führt, dass die Endstufe nicht beschädigt werden kann. Man nennt dies SOA-Betrieb (Safe Operation Area).
Ein wirksamer Schutz von Röhrenendstufen gegen induktive Überspannungen ist dagegen sehr schwierig und in reiner Röhrentechnologie überhaupt nicht realisierbar, weshalb in der Praxis kaum Gebrauch davon gemacht wird (ein
Snubber-Netzwerk ist bei weitem kein ausreichender Schutz). Ein Überstromschutz von Transistorendstufen ist hingegen sehr einfach und kostengünstig realisierbar, weshalb er in fast jedem Transistorverstärker vorhanden ist.
